▘完全干式的加工工艺，非常适合加工不能接触水以及不能受压的工件；
▘采用高功率激光源，大幅度减少加工scan数。UPH的到飞跃性的提高；
▘切割道可以设计得更宽，收率（芯片取得数）得到改善，单位成本大大降低；
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技术参数 |
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项目 |
规格 |
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适用的晶片尺寸 |
5~8inch（5~8inch 切割框架） |
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X轴 |
行程 |
421.5mm |
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定位分辨率 |
0.002mm |
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平直度 |
0.0015mm/210mm（水平和垂直） |
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Y轴 |
行程 |
365mm |
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定位分辨率 |
0.0002mm（闭环控制） |
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定位精度 |
0.002mm/240mm |
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Z轴 |
行程 |
8.5mm |
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定位分辨率 |
0.0001mm（闭环控制） |
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定位精度 |
0.001mm/1mm |
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θ轴 |
旋转范围 |
380° |
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其它 |
电力支持 |
200/220/240/380/415VAC±10%三相，50 ~ 60hz |
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电力消耗 |
4.7kVA （最大） |
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压缩空气 |
0.5 ~ 0.7MPa |
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氮气 |
0.5 ~ 0.7MPa |
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直线电机冷却水 |
0.2~0.5MPa（自来水） |
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设备尺寸 |
1520 x 1290x 2134mm(包含FFU) |
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重量 |
1700kg |
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